在等離子體蝕刻工藝中，也稱為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來去除襯底材料，干蝕刻會產生氣態產物，這些產物應擴散到大量氣體中并通過真空系統排出，干蝕刻有三種類型（例如等離子蝕刻）：化學反應（通過使用反應性等離子體或氣體），物理去除（通常通過動量傳遞）以及化學反應和物理去除的組合，干蝕刻：利用不易被物理、化學作用破壞的物質光阻來阻擋不欲去除的部分，利用電漿的離子轟擊效應和化學反應去掉想去除的部分，從而將所需要的線路圖形留在玻璃基板上。

蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟，術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層，這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經歷許多蝕刻過程，用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻，該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化，蝕刻加工是現在常用的加工方式，主要應用在金屬蝕刻、蝕刻標牌、蝕刻五金以及PCB電路板上，蝕刻加工相比于傳統的沖壓、激光雕刻等方式，更加靈活，也更方便。

現在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產品。