傳統(tǒng)的蝕刻工藝因為存在技術(shù)落后、生產(chǎn)成本高、嚴重的污染問題，guo家在環(huán)保政策的要求下強勢淘汰傳統(tǒng)工藝，整個蝕刻行業(yè)亟需解決行業(yè)升級、技術(shù)換代的問題，且迫在眉睫，蝕刻優(yōu)版創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)運而生，微加工過程中有很多加工步驟，現(xiàn)代工藝上，不銹鋼蝕刻板針對高精密、精細化的產(chǎn)品上無法滿足，其蝕刻工藝手段非常適用對精密化產(chǎn)品，比如汽車機械部件、墊片和間隔墊圈、高性能密封墊片、各種過濾網(wǎng)片，電動汽車電池片，汽車喇叭網(wǎng)上均采用蝕刻工藝。

當反應(yīng)發(fā)生時，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因為液體蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉(zhuǎn)移非常重要，通常禁止?jié)穹ɑ瘜W蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質(zhì)去除晶圓層，濕法刻蝕是半導體制造，微機械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。

缺點包括許多化學廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區(qū)域以獲得器件所需的詳細功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預(yù)烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當將腐蝕劑（一種腐蝕性化學品）施加到被掩膜的晶圓上時，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區(qū)域中，蝕刻會以相同的速率發(fā)生，從而產(chǎn)生倒圓的邊緣。