透射電子顯微鏡（TEM）是研究材料微結構zui直接的表征技術之一，能夠在納米到原子尺度對材料微結構進行成像與分析，目前，應用于材料的電學參數表征方法可以分為兩大類：一類為宏觀尺度技術，比如四點探針法或范德堡法，光學測量等，允許快速檢測，但只能提供直流電導率等單一參數信息，另一類為納米尺度的技術，如拉曼光譜、原子力顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡等，能夠得到分辨率很高的圖像，然而通常需要復雜的樣品制備步驟，并且測量速度十分緩慢，無法實現高速測量。

2切片厚度50～100nm為宜：太薄反差低；太厚反差好，但結構重疊，電子束不能穿透；，3切片應耐電子束的強烈照射，不變形不升華；，4切片能夠適當被染色，保證一定的反差；，5切片均勻，無影響拍照的皺褶、刀痕或染色污染，其中，DigitalMicrograph不僅能夠自動識別Gatan公司電鏡拍攝的dm3、dm4、Tif文件中的標尺、放大倍數、儀器型號等信息，還能夠對圖片中進行上偽色突出對比度、選區傅里葉變換、劃線取向灰度分析等。

鋨酸是強氧化劑，固定脂類、膜結構，有電子染色作用，3脫水，用適當的有機溶劑取代組織和細胞中的游離態水分，使之能與包埋劑混合，脫水要徹底，更換液體動作要迅速，脫水時間不宜過長，且固定后的樣品要充分漂洗，4滲透、包埋與聚合，4，1滲透，2包埋與聚合，加溫在60℃聚合形成固體基質，牢固地支撐整個細胞結構或組織，制成適于機械切割的固體樹脂包埋塊，利于切片，常用玻璃刀、鉆石刀進行超薄切片，刀上要裝水槽，并注入槽液。